800V高壓MOS：CMF80R450P
800V高壓MOS：CMF80R450P
CMF80R450P功率MOSFET，是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的內(nèi)阻RDS(on)和柵極電荷QG。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)來提供高的效率。應(yīng)用范圍廣泛，可用于開關(guān)應(yīng)用，DC-DC轉(zhuǎn)換器，電機(jī)控制，Adaptor電源、PFC電源應(yīng)用等。有800V高耐壓能力，及很好的性價(jià)比。
卓越的電氣特性
CMF80R450P的主要電氣特性包括：
高耐壓：CMF80R450P的耐壓（BVDSS）為800V。
電流能力：在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)11A。
高抗沖擊力：CMF80R450P采用Cmos先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)，單次雪崩能量為260mJ，使其有較強(qiáng)的抗沖擊能力，能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。
低開啟電壓：開啟電壓VGS（th）是2~4V，使得在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下也能開啟。
低導(dǎo)通損耗：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMF80R450P的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為0.4Ω。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高了電路的能效，使得在電路應(yīng)用中效率更高。
低開關(guān)損耗：非常低的QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，非常低的開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMF80R450P 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用場景，適合于多種電源電路。MOS管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻、直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效。低QG、低結(jié)電容，使其具有很好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗，能夠很好地滿足電路需求。
CMF80R450P 采用的TO-220F封裝，其優(yōu)秀的電氣特性，使其能夠在各種高應(yīng)力環(huán)境下穩(wěn)定工作。通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些特性集成到CMF80R450P中，使其在各種電源電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
