Cmos優(yōu)勢物料推選九：CMD170P03A
Cmos優(yōu)勢物料推選九：CMD170P03A
CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。典型的特點是，具有更小的寄生電容，更優(yōu)秀的開關(guān)響應性，更低的導通內(nèi)阻RDSON等特性。無論是MOS管自身的轉(zhuǎn)換效率還是能耗都得到優(yōu)化，成為Cmos綠色發(fā)展的又一明星產(chǎn)品。
封裝形式
基礎(chǔ)參數(shù)
核心優(yōu)勢
CMD170P03A是一款擊穿電壓BVDSS=-30V，采用溝槽工藝制造的場效應晶體管，在環(huán)境溫度為25℃條件下，流過MOS管的源漏電流高達-120A，具有卓越的功率輸送能力。提供TO-252、TO-251兩種封裝，封裝如圖所示。這兩種封裝背部加裝較大散熱片，具有優(yōu)秀的散熱能力,保證了晶體管在大電流高功率飽和導通工作條件下的熱管理能力。卓越的功率傳遞能力和優(yōu)秀的散熱設(shè)計使其在電機控制，電源DC-DC模塊及負載開關(guān)控制等應用電路中被廣泛采用，表現(xiàn)可靠穩(wěn)定。
低優(yōu)值系數(shù)：降低能耗，提升傳遞效率
優(yōu)值系數(shù)FOM=QG×RDSON，QG值反映了場效應晶體管的開關(guān)動態(tài)特性，RDSON是MOS管導通后的靜態(tài)特性，F(xiàn)OM反映場效應晶體管的動態(tài)特性和靜態(tài)能耗整體的轉(zhuǎn)換效率。作為高頻次開關(guān)，場效應晶體管自身電能損耗和開關(guān)響應速度是體現(xiàn)其性能優(yōu)良的關(guān)鍵指標參數(shù)。尤其是無源供電設(shè)備，低功耗和高轉(zhuǎn)換效率的元器件在應用中更具有實際意義，能有效延長設(shè)備運行時間。
場效應晶體管在實際電路中與負載形成串聯(lián)應用的拓撲結(jié)構(gòu)，在飽和導通之后，可以等效為一個串聯(lián)電阻，其等效電路圖如下圖所示，
MOS管自身的帶載能力與其內(nèi)阻和電流成正相關(guān)。由串并聯(lián)電路相關(guān)定理得到漏極和源極電流越大，內(nèi)阻越小場效應晶體管帶載能力越強。分析上圖場效應晶體管等效電路圖，MOS管在導通后，其回路是 VCC→RDSON→RL→GND。根據(jù)歐姆定律，串聯(lián)電路中的電阻分壓大小與電阻阻值大小成正比，電阻值越大電阻兩端壓降越大。電阻值越小，電阻兩端壓降越小，因為電阻與負載等效為串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所以負載上分得的電壓就越高，進而可以帶動更大功率的負載。 從場效應晶體管元器件角度考慮，其內(nèi)阻越大，電路中消耗的功率越多，管子越容易發(fā)熱，并且壽命變短，甚至出現(xiàn)炸管現(xiàn)象；內(nèi)阻越小，負載產(chǎn)生的分壓越多，獲得的電能就越大，帶載能力則越強。所以，一般選用內(nèi)阻較低的MOS管。 如下表為CMD170P03A Product DataSheet
由DataSheet可得，CMD170P03A飽和導通內(nèi)阻RDSON不超過4.5MΩ，這種低阻值，無論是靜態(tài)待機狀態(tài)還是動態(tài)工作過程均有效降低了電路中電能損耗且在實際應用中提高了電能的轉(zhuǎn)換效率，成為BMS，電機馬達，燈控行業(yè)的優(yōu)秀物料之選。文末還需要提醒一點，CMD170P03A是P溝道場效應晶體管，P溝道因為其特點往往在電路中具有很強的驅(qū)動能力，不需要專門設(shè)計驅(qū)動電路，實現(xiàn)了應用方案的輕量化設(shè)計。
Cmos半導體是優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)半導體企業(yè)，擁有完備的半導體生產(chǎn)工藝，先進的封測設(shè)備，有著豐富的半導體產(chǎn)品和不同型號。產(chǎn)品分布廣泛，性能可靠穩(wěn)定，有著較強的品牌影響力和市場份額。
Cmos產(chǎn)品有：MOS場效應晶體管管，晶閘管，IGBT，三端穩(wěn)壓芯片，三極管，二極管等。
Cmos產(chǎn)品應用領(lǐng)域如下表所示：
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