900V高壓MOS：CMH12N90
900V高壓MOS：CMH12N90
CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的專有平面條形DMOS技術(shù)，改進(jìn)了dv/dt能力，非常適合用于高效開(kāi)關(guān)電源。提供優(yōu)秀的RDS(ON)和低門(mén)電荷。非常適合UPS電源、及各類開(kāi)關(guān)切換模式電源。
卓越的電氣特性
CMH12N90的主要電氣特性包括：
高耐壓能力：CMH12N90的耐壓（BVDSS）為900V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）為12A。
雪崩能量：CMH12N90采用Cmos專有的平面條形DMOS技術(shù)，100%雪崩能量測(cè)試，單次雪崩能量EAS為722mJ。
低EMI：CMH12N90采用Cmos專有的平面條形DMOS技術(shù)，改進(jìn)了dv/dt能力，應(yīng)用時(shí)具有低EMI的特點(diǎn)。
低熱阻：CMH12N90采用TO-247封裝，具有良好的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.45℃/W，有很好的散熱能力。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMH12N90的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為1.1Ω。低導(dǎo)通電阻能降低導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高電路的能效，使得在開(kāi)關(guān)電源電路應(yīng)用中效率更高。
低開(kāi)關(guān)損耗：低QG、較小的CISS，使其具有優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，較小的開(kāi)關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMH12N90 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種高效開(kāi)關(guān)切換電源。MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接決定管子工作時(shí)的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結(jié)電容，使管子有較好的開(kāi)關(guān)特性及低開(kāi)關(guān)損耗。通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMH12N90中，使其在電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色，在各種高效開(kāi)關(guān)切換類電源應(yīng)用中，是表現(xiàn)優(yōu)秀的MOS。
