CMSA180P03是P溝道增強型功率場效應晶體管，采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽技術(shù)和設計，提供優(yōu)秀的RDS（ON）。
CMD060N10是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術(shù)和設計，提供優(yōu)秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常適合用于DC-DC電源、電源切換應用，開關(guān)控制，電機控制、LED控制等多種應用。
CMD840 MOS是一款采用平面工藝設計的高壓小電流FET，作為電子工程師我們都知道，平面工藝FET很多電性特征參數(shù)都與內(nèi)部晶片大小息息相關(guān)。
CMF65R140是Cmos推出新一代650V功率超結(jié)MOSFET，可用于數(shù)據(jù)中心服務器電源、太陽能（PV）功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）和其他工業(yè)應用。
CMSC012N06是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術(shù)和設計，采用DFN-8 3.3x3.3封裝，能夠減小PCB板尺寸和提高空間利用率，是緊湊型DC-DC電源、高能效電源、同步整流電源的優(yōu)選MOS。
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