CMF85R290R是采用Cmos先進超級結技術的功率MOSFET,實現非常低的導通電阻和柵極電荷,通過使用優化的電荷耦合技術,提供更高的效率。
CMH12N90功率MOSFET,采用Cmos的專有平面條形DMOS技術,改進了dv/dt能力,非常適合用于高效開關電源。
CMF10N80是一款綜合性能優秀的N溝道高壓功率MOSFET,采用Cmos先進的平面工藝制造,其核心優勢是抗沖擊性高、高頻特性好、不可控造因素成的特性離散性小等優勢,適用于開關電源(SMPS)、電機驅動、逆變儲能及工業電磁閥小信號類應用等場景。
CMSA070N10是一款高性能N溝道功率場效應管(MOSFET),采用Cmos先進的SGT工藝制成,具有高頻特性好,轉換效率高的特點。
CMP107N20是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的SGT技術工藝生產,具有優秀的導通電阻RDS(ON),是高頻開關和同步整流的理想MOS,也非常適合用于電機驅動控制、電池管理、不間斷電源、逆變器電源等等。