CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優(yōu)化溝槽工藝研發(fā)的N溝道金屬氧化物半導體場效應管,設計理念追求高能效、綠色和可持續(xù)發(fā)展。
CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸(ChannelWidth/Channel Length),并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。
CMD065N04 Cmos為電源DC-DC模塊開發(fā)的一款物料,得益于Cmos對于半導體先進制造工藝的研究和創(chuàng)新,這款物料具有多項優(yōu)秀的參數(shù),整體性能卓越。
在戶外UPS電源供電設備中,低功耗尤為重要。CMH029N10以低飽和導通電阻(RDSON僅為2.4mΩ)實現(xiàn)了極低的功耗,使其在待機狀態(tài)時有效降低電池電能損耗。
CMS4013是P溝道增強型功率場效應晶體管,采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的溝槽技術和設計,提供優(yōu)秀的RDS(ON)。